第一一一八章 浸没式光刻系统遇到难题（2/3）

“好的，董事长！”

“魏总，公司争取早日生产出一条具有自主知识产权的6英寸晶圆和800nm制程工艺的半导体生产线，到时，pgca率先订购一条。”

“好的，董事长！”

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“董事长，经过近2年的联合攻关，研究证实，我们用去离子水等手段，保持水的洁净度和温度，使其不起气泡，用去离子水作为曝光介质，虽然光源波长还是用原来的193nm，但通过去离子水的折射，能使进入光阻的波长明显缩小，使用浸没式技术突破193nm波长可行，我们如今遇到的最大难题是我们自己制造的光学镜头不能满足突破193nm波长光刻光学器件的技术要求。”

浸没式光刻技术联合攻关组组长陈伟长院士给孙健汇报浸没式光刻技术的最新进展，总经理魏建国、院长邓国辉院士、副院长欧阳民院士、联合攻关组副组长夏季常院士和光源研究所所长钱富强研究员也在场。

1994年，钟德伟教授和夏季常教授凭借研究成功全球独一无二的光刻机悬浮式双工作台系统技术项目成果，晋升工程院院士。

1995年，陈伟长研究员凭借研究成功1um制程工艺的光学系统技术项目成果，欧阳民研究院凭借研制成功6英寸晶圆技术项目成果，同一批晋升工程院院士。

同年，钱富强副研究员在自主制造arf准分子激光器的工作中做出重大贡献，晋升研究员，担任光刻机光源研究所所长。

邓国辉院士不再兼任光刻机光源研究所所长，集中精力主持光刻机半导体研究院的整体研究工作。

浸没式光刻技术在bsec属于严格保密的研究项目，属于在研项目的第一号，由光刻机光学研究所、光刻机光源研究所和光刻机自动化研究所相关研究人员和高级技师组成，联合攻关组由陈伟长院士和夏季常院士领衔，所有参与者同bsec签订了保密协定。